“火上浇油”！报道称三星大幅上调内存和闪存价格，幅度达30%

周一，三星大幅上调内存和闪存产品价格，DRAM产品涨幅高达30%，NAND闪存价格上涨5-10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增。美光和闪迪等竞争对手同时宣布类似涨价措施，其中美光涨幅达20-30%并暂停接受新订单。

据韩国媒体Newdaily报道，三星将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%，eMMC和UFC等NAND闪存产品价格上涨5-10%。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求增长。

此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变。厂商将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场，导致传统产品供应收缩。摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。

行业巨头集体涨价

三星并非独自行动。美光已通知客户价格将上涨20-30%，同时暂停接受新订单。闪迪宣布NAND闪存产品涨价10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡压力。

供应紧张的根本原因在于产业重心转移。随着AI PC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4内存价格已暴涨50%，使DDR5成为更具成本效益的PC解决方案。

内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。三星作为全球最大内存厂商之一，其定价策略通常引领行业走向，市场担忧供应紧张可能持续至2025年。

HBM需求挤压传统产品供应

高带宽内存（HBM）需求激增成为推高价格的关键因素。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道，优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级DRAM供应更加紧张。

三星目前占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额。公司正努力获得英伟达支持以推广其HBM产品，同时加速LPDDR6 DRAM开发，首批设计预计今年晚些时候推出。

，HBM”溢价神话”面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。

DRAM 和 NAND 的供需结构趋紧，似乎增强了涨价的必要性。花旗集团预测，明年 DRAM 和 NAND 闪存的供应将分别短缺 1.8% 和 4%。摩根士丹利也预测，明年 NAND 的供应将短缺高达 8%。